US1M-E3/61T

Производитель
Vishay
Тип
Радиоэлектронный компонент
Полное наименование
US1M-E3/61T
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия
Техническая документация
Datasheet 1 Datasheet 2 Datasheet 3
Описание
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
Сертификация
нет данных
ECCN
EAR99
HS Код
8541.10.0080
Свинец
присутствует
Фото стока
Фото стока
Фото стока
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Diode Type: StandardVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000VCurrent - Average Rectified (Io): 1AVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1ASpeed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Reverse Recovery Time (trr): 75nsCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 1000VCapacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHzMounting Type: Surface MountPackage / Case: DO-214AC, SMASupplier Device Package: DO-214AC (SMA)Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C

Наличие и цены на US1M-E3/61T на стоках в России, США, Европы и Азии

Внимание! Просмотр цен и предложений возможен только для зарегистрированных и авторизованных пользователей сайта. Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон.
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

Идёт поиск и обновление цен...

Лучшие предложения Все предложения